Authors M. F. Li, Y. D. He, S. G. Ma, B. J. Cho, K. F. Lo, and M. Z. Xu 
Journal/Conference IEEE Electron Device Lett. 
Date Nov. 1999. 
volume vol. 20 
Number no. 11 
Page pp. 586-588 

M. F. Li, Y. D. He, S. G. Ma, B. J. Cho, K. F. Lo, and M. Z. Xu, "Role of hole fluence in gate oxide breakdown", IEEE Electron Device Lett., vol. 20, no. 11, pp. 586-588, Nov. 1999.