Authors S. J. Kim, B. J. Cho, M. F. Li, Albert Chin, and D. L. Kwong 
Journal/Conference IEEE Electron Device Lett 
Date Jul. 2003. 
volume Vol. 24 
Number no. 7 
Page pp. 442 

S. J. Kim, B. J. Cho, M. F. Li, Albert Chin, and D. L. Kwong, “Lanthanide (Tb)-doped HfO2 for high density MIM capacitors”, IEEE Electron Device Lett., Vo. 24, no. 7, p. 442, Jul. 2003.