Authors D. S. Yu, C. H. Huang, Albert Chin, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, and D. L. Kwong 
Journal/Conference IEEE Electron Device Lett. 
Date Mar. 2004. 
volume vol. 25 
Number no. 3 
Page pp. 138-140 

D. S. Yu, C. H. Huang, Albert Chin, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, and D. L. Kwong, "Al2O3/Ge-On-Insulator n- and p-MOSFETs with Fully NiSi and NiGe Dual Gates," IEEE Electron Device Lett., vol. 25, no. 3, pp. 138-140, Mar. 2004.