Authors S. J. Ding, H. Hu, H. F. Lim, S. J. Kim, X. F. Yu, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, D. S. H. Chan, S. C Rustagi, M. B. Yu, A. Chin, and D.-L. Kwong 
Journal/Conference IEEE Trans. Electron Devices 
Date Jun. 2004. 
volume vol. 51 
Number no. 6 
Page pp. 886-894 

S. J. Ding, H. Hu, H. F. Lim, S. J. Kim, X. F. Yu, C. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho, D. S. H. Chan, S. C Rustagi, M. B. Yu, A. Chin, and D.-L. Kwong, "RF, DC and Reliability Characteristics of Atomic Layer Deposited HfO2-Al2O3 Laminate MIM Capacitors for Si RF IC Applications," IEEE Trans. Electron Devices. vol. 51, no. 6, pp. 886-894, Jun. 2004.