Authors S. J. Kim, B. J. Cho, M. B. Yu, M. F. Li, Y. Z. Xiong, C. Zhu, A. Chin and D. L. Kwong 
Journal/Conference IEEE Electron Device Lett. 
Date Sep. 2005. 
volume vol. 26 
Number no. 9 
Page pp. 625-627 

S. J. Kim, B. J. Cho, M. B. Yu, M. F. Li, Y. Z. Xiong, C. Zhu, A. Chin and D. L. Kwong, "Metal-insulator-metal RF bypass capacitor using niobium oxide (Nb2O5) with HfO2/Al2O3 barriers," IEEE Electron Device Lett., vol. 26, no. 9, pp. 625-627, Sep. 2005.