Authors S. H. Lee, P. Majhi, J. W. Oh, B. Sassman, C. Young, A. Bowonder, W. Y. Loh, K. J. Choi, B. J. Cho, H. D. Lee, P. Kirsch, H. R. Harris, W. Tsai, S. Datta, H. H. Tseng, S. K. Banerjee, and R. Jammy 
Journal/Conference IEEE Electron Device Lett 
Date Sep. 2008. 
volume vol. 29 
Number no. 9 
Page pp. 1017-1020 

S. H. Lee, P. Majhi, J. W. Oh, B. Sassman, C. Young, A. Bowonder, W. Y. Loh, K. J. Choi, B. J. Cho, H. D. Lee, P. Kirsch, H. R. Harris, W. Tsai, S. Datta, H. H. Tseng, S. K. Banerjee, and R. Jammy, “Demonstration of Lg ∼ 55 nm pMOSFETs With Si/Si0.25Ge0.75/Si Channels, High Ion/Ioff (> 5 × 104), and Controlled Short Channel Effects (SCEs)”, IEEE Electron Device Lett., vol. 29, no. 9, pp. 1017-1020, Sep. 2008.