Authors J. K. Park, Y. M. Park, S. H. Lee, S. K. Lim, J. S. Oh, M. S. Joo, K. Hong, and B. J. Cho 
Journal/Conference IEEE Trans. Electron Devices 
Date Oct. 2011. 
volume vol. 58 
Number no. 10 
Page pp. 3314-3320 

J. K. Park, Y. M. Park, S. H. Lee, S. K. Lim, J. S. Oh, M. S. Joo, K. Hong, and B. J. Cho, " Lanthanum-Oxide-Doped Nitride Charge Trap Layer for a TANOS Memory Device”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 58, no. 10, pp. 3314-3320, Oct. 2011.